MOSFET CoolSiC 650V G2 em TOLL – 15 mΩ – IMT65R015M2H
O IMT65R015M2H é um MOSFET CoolSiC™ 650 V da Geração 2 (G2) da Infineon, encapsulado em TOLL, projetado para otimizar o desempenho em aplicações de alta potência. Este componente representa um avanço significativo em tecnologia SiC, superando as limitações de ciclos térmicos dos encapsulamentos convencionais e incorporando a interconexão .XT para reduzir a resistência térmica. O IMT65R015M2H permite o uso completo das características do SiC, mantendo um tamanho compacto e elevando a densidade de potência. É uma solução ideal para diversas aplicações, incluindo conversores de potência, inversores solares e sistemas de acionamento industrial, onde a eficiência e confiabilidade são cruciais. A combinação de baixa resistência no estado ligado (15 mΩ) e a tecnologia CoolSiC G2 resulta em perdas reduzidas e maior eficiência energética.
Especificações Técnicas
| Tipo de Componente | MOSFET CoolSiC |
|---|---|
| Tensão de Drenagem-Fonte | 650 V |
| Resistência no Estado Ligado (Rds(on)) | 15 mΩ |
| Encapsulamento | TOLL |
| Série | CoolSiC G2 |
Perguntas Frequentes
Quais são os principais benefícios do MOSFET IMT65R015M2H?
O IMT65R015M2H oferece alta eficiência, excelente desempenho em ciclos térmicos, tamanho compacto e alta densidade de potência, graças à tecnologia CoolSiC G2 e ao encapsulamento TOLL.
Em quais aplicações o IMT65R015M2H pode ser utilizado?
Este MOSFET é ideal para aplicações como conversores de potência, inversores solares, sistemas de acionamento industrial e outras aplicações que exigem alta eficiência e confiabilidade.
Qual a importância da interconexão .XT no IMT65R015M2H?
A interconexão .XT reduz a resistência térmica, permitindo que o MOSFET opere em condições mais extremas e utilize totalmente as características do SiC, resultando em melhor desempenho e maior vida útil.
🔗 Referência do Fabricante:
Página oficial IMT65R015M2H – Infineon Technologies
📄 Datasheet Oficial: Download Datasheet IMT65R015M2H
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