MOSFET CoolSiC 650V G2 7mΩ Q DPAK – Infineon IMDQ65R007M2H
O IMDQ65R007M2H é um MOSFET CoolSiC™ de 650 V da Geração 2 (G2) da Infineon, encapsulado em Q DPAK com resitência de 7 mΩ. Esta tecnologia de ponta oferece um desempenho superior de chaveamento, juntamente com o benefício adicional do resfriamento pela parte superior (top side cooling), resultando em melhorias significativas no nível do sistema. Comparado a outros componentes na mesma categoria, o IMDQ65R007M2H permite a redução do espaço na placa de circuito impresso, a diminuição dos custos de lista de materiais (BOM) e a maximização da densidade de potência do sistema. O MOSFET IMDQ65R007M2H é ideal para aplicações industriais que exigem alta eficiência e confiabilidade, como fontes de alimentação chaveadas, inversores solares e sistemas de acionamento de motores.
Especificações Técnicas
| Tipo de Componente | MOSFET CoolSiC |
|---|---|
| Tensão | 650 V |
| Resistência (Rds(on)) | 7 mΩ |
| Encapsulamento | Q DPAK (Top Side Cooling) |
Perguntas Frequentes
Quais são as principais vantagens do IMDQ65R007M2H?
O IMDQ65R007M2H oferece alto desempenho de chaveamento, resfriamento pela parte superior, redução de espaço na placa, menores custos de BOM e maior densidade de potência do sistema.
Em quais aplicações o IMDQ65R007M2H é recomendado?
O IMDQ65R007M2H é recomendado para aplicações industriais, como fontes de alimentação chaveadas, inversores solares e sistemas de acionamento de motores.
Qual a tecnologia utilizada no IMDQ65R007M2H?
O IMDQ65R007M2H utiliza a tecnologia CoolSiC™ MOSFET de Geração 2 (G2) da Infineon.
🔗 Referência do Fabricante:
Página oficial IMDQ65R007M2H – Infineon Technologies
📄 Datasheet Oficial: Download Datasheet IMDQ65R007M2H
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