MOSFET CoolSiC 650V G2 33mΩ TO-263 – IMBG65R033M2H
O IMBG65R033M2H é um MOSFET CoolSiC™ de 650 V, 33 mΩ da segunda geração (G2) da Infineon Technologies, encapsulado em um D2PAK 7 (TO 263 7). Esta nova geração aprimora a tecnologia da primeira geração, proporcionando um projeto de sistema mais otimizado em termos de custo, eficiência, compacidade e confiabilidade. O IMBG65R033M2H apresenta melhorias significativas em figuras de mérito cruciais, tanto para operação em comutação rígida quanto para topologias de comutação suave. Ele é adequado para diversas aplicações, incluindo etapas AC/DC, DC/DC e DC/AC. A tecnologia CoolSiC™ permite maior eficiência energética e menor geração de calor em comparação com tecnologias MOSFET de silício tradicionais, tornando o IMBG65R033M2H uma excelente escolha para inversores solares, fontes de alimentação de alta eficiência e acionamentos de motores industriais.
Especificações Técnicas
| Tipo de Componente | MOSFET CoolSiC |
|---|---|
| Tensão | 650 V |
| Resistência Drain-Source (Rds(on)) | 33 mΩ |
| Encapsulamento | D2PAK 7 (TO 263 7) |
Perguntas Frequentes
Quais são os principais benefícios do IMBG65R033M2H?
O IMBG65R033M2H oferece alta eficiência energética, menor geração de calor, maior confiabilidade e permite projetos de sistema mais compactos e otimizados em custo.
Em quais aplicações o IMBG65R033M2H pode ser utilizado?
O IMBG65R033M2H é ideal para aplicações como inversores solares, fontes de alimentação de alta eficiência, acionamentos de motores industriais e etapas AC/DC, DC/DC e DC/AC.
Qual a diferença entre a geração G1 e G2 deste MOSFET?
A geração G2, do IMBG65R033M2H, apresenta melhorias significativas nas figuras de mérito em comparação com a G1, resultando em maior eficiência e melhor desempenho em diversas topologias de comutação.
🔗 Referência do Fabricante:
Página oficial IMBG65R033M2H – Infineon Technologies
📄 Datasheet Oficial: Download Datasheet IMBG65R033M2H
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