MOSFET CoolSiC 650V G2 26mΩ – Encapsulamento TO-263 – IMBG65R026M2H

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CoolSiC™ MOSFET 650 V G2 in TO-263-7 package

SKU: IMBG65R026M2H Categoria: Marca:

MOSFET CoolSiC 650V G2 26mΩ – Encapsulamento TO-263 – IMBG65R026M2H

O IMBG65R026M2H da Infineon Technologies é um MOSFET CoolSiC™ de 650 V da Geração 2, com resistência de 26 mΩ, projetado para aplicações exigentes. Este componente, encapsulado em TO 263 7 (D2PAK), representa um avanço em relação à tecnologia de primeira geração, proporcionando soluções mais eficientes, compactas e confiáveis, com custo otimizado. O IMBG65R026M2H se destaca por melhorias significativas em figuras de mérito tanto para operação de chaveamento rígido quanto para topologias de chaveamento suave. Isso o torna adequado para diversas configurações, incluindo estágios AC/DC, DC/DC e DC/AC. Sua tecnologia CoolSiC™ otimiza a eficiência em sistemas de energia, reduzindo perdas e aumentando a densidade de potência. Aplicações típicas incluem fontes de alimentação, inversores solares, carregadores de veículos elétricos e sistemas de acionamento industrial, onde alta eficiência e confiabilidade são cruciais. A escolha do IMBG65R026M2H pode resultar em projetos mais eficientes e com melhor desempenho.

Especificações Técnicas

Tipo de Componente MOSFET CoolSiC G2
Tensão 650V
Resistência 26 mΩ
Encapsulamento TO-263-7 (D2PAK)

Perguntas Frequentes

Quais são os benefícios da tecnologia CoolSiC™ neste MOSFET?

A tecnologia CoolSiC™ no IMBG65R026M2H melhora a eficiência, reduzindo as perdas de energia e aumentando a densidade de potência em comparação com tecnologias MOSFET tradicionais, resultando em sistemas mais compactos e econômicos.

Em quais aplicações o IMBG65R026M2H é recomendado?

O IMBG65R026M2H é ideal para aplicações como fontes de alimentação, inversores solares, carregadores de veículos elétricos e sistemas de acionamento industrial, onde alta eficiência, confiabilidade e densidade de potência são essenciais.

Qual a diferença entre a Geração 2 e a Geração 1 deste MOSFET?

A Geração 2 do IMBG65R026M2H apresenta melhorias significativas em figuras de mérito, tanto para chaveamento rígido quanto para chaveamento suave, resultando em desempenho aprimorado, maior eficiência e confiabilidade em comparação com a Geração 1.

🔗 Referência do Fabricante:
Página oficial IMBG65R026M2H – Infineon Technologies

📄 Datasheet Oficial: Download Datasheet IMBG65R026M2H

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