MOSFET CoolSiC 650V G2 15 mΩ Infineon – IMDQ65R015M2H

O IMDQ65R015M2H da Infineon Technologies é um MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) da família CoolSiC de 650 V, pertencente à segunda geração (G2). Este componente utiliza a avançada tecnologia CoolSiC para otimizar o desempenho de chaveamento e reduzir perdas. O IMDQ65R015M2H é encapsulado em Q DPAK com sistema de dissipação de calor superior, permitindo um resfriamento eficiente e aprimorando a densidade de potência do sistema. A tecnologia G2 oferece vantagens significativas em relação a soluções anteriores, incluindo menor espaço em placa, redução de custos na lista de materiais (BOM) e maior eficiência energética. Este MOSFET é ideal para aplicações industriais que exigem alta eficiência e confiabilidade, como fontes de alimentação, inversores solares, sistemas de acionamento de motores e equipamentos de soldagem. A Infineon projetou o IMDQ65R015M2H para oferecer excelente desempenho de chaveamento e baixa resistência no estado ligado (15 mΩ), contribuindo para a otimização do projeto de sistemas e redução de custos operacionais.