MOSFET CoolSiC 650V G2 10 mΩ TOLL – Infineon IMT65R010M2H
O IMT65R010M2H, um MOSFET CoolSiC™ 650 V G2 em encapsulamento TOLL da Infineon Technologies, representa um avanço significativo em tecnologia de semicondutores. Este componente é projetado para superar os limites dos encapsulamentos convencionais em termos de ciclos térmicos, graças à sua tecnologia .XT interconnect que reduz a resistência térmica. O IMT65R010M2H permite o aproveitamento total das características do SiC (carbeto de silício), mantendo um tamanho compacto e elevando a densidade de potência. Este MOSFET é ideal para aplicações que exigem alta eficiência e desempenho em ambientes desafiadores. As aplicações típicas incluem fontes de alimentação chaveadas, inversores solares, e sistemas de acionamento de motores industriais, onde a eficiência e a confiabilidade são cruciais. O IMT65R010M2H proporciona uma solução robusta e de alto desempenho.
Especificações Técnicas
| Tipo de Componente | MOSFET |
|---|---|
| Tensão | 650 V |
| Resistência (Rds(on)) | 10 mΩ |
| Encapsulamento | TOLL |
| Tecnologia | CoolSiC™ G2 |
Perguntas Frequentes
Quais são os principais benefícios do MOSFET IMT65R010M2H?
O IMT65R010M2H oferece alta eficiência, excelente desempenho em ciclos térmicos, tamanho compacto e alta densidade de potência, aproveitando as vantagens da tecnologia CoolSiC™ G2.
Em quais aplicações o IMT65R010M2H é recomendado?
Este MOSFET é ideal para fontes de alimentação chaveadas, inversores solares, sistemas de acionamento de motores industriais e outras aplicações onde a eficiência e a confiabilidade são essenciais.
Qual a principal vantagem do encapsulamento TOLL utilizado no IMT65R010M2H?
O encapsulamento TOLL, juntamente com a tecnologia .XT interconnect, reduz significativamente a resistência térmica, permitindo melhor desempenho em ciclos térmicos e maior confiabilidade.
🔗 Referência do Fabricante:
Página oficial IMT65R010M2H – Infineon Technologies
📄 Datasheet Oficial: Download Datasheet IMT65R010M2H
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