MOSFET CoolSiC 650V 7mΩ G2 Infineon D2PAK – IMBG65R007M2H

O IMBG65R007M2H da Infineon Technologies é um MOSFET CoolSiC de 650 V e 7 mΩ da Geração 2, encapsulado em D2PAK 7 (TO 263 7). Baseado na tecnologia de primeira geração, este componente permite o desenvolvimento acelerado de sistemas mais otimizados em custo, eficientes, compactos e confiáveis. A Geração 2 apresenta melhorias significativas nos principais parâmetros para operação em chaveamento rígido e topologias de chaveamento suave, tornando o IMBG65R007M2H adequado para uma ampla gama de aplicações, incluindo estágios AC/DC, DC/DC e DC/AC. A tecnologia CoolSiC proporciona menores perdas de comutação e condução, resultando em maior eficiência energética. Este MOSFET é ideal para aplicações industriais como inversores solares, fontes de alimentação e carregadores de veículos elétricos, onde alta eficiência e confiabilidade são cruciais. A Infineon, com o IMBG65R007M2H, oferece uma solução robusta para otimizar o desempenho do sistema e reduzir custos.