MOSFET CoolSiC 650V 22mΩ TOLL – Infineon IMT65R022M1H

O IMT65R022M1H é um MOSFET discreto CoolSiC™ de 650 V e 22 mΩ da Infineon Technologies, encapsulado em TOLL. Esta tecnologia SiC (Carboneto de Silício) permite projetos com maior densidade e operações em frequências de chaveamento mais elevadas. O encapsulamento TOLL, com seu fator de forma compacto e baixa parasitância, otimiza o uso do espaço na placa e possibilita o acionamento do MOSFET em frequências mais altas, resultando em maior densidade de potência. O IMT65R022M1H é uma solução ideal para diversas aplicações de alta potência. A redução da impedância térmica em comparação com o encapsulamento D²PAK, juntamente com a inovadora interconexão .XT, torna o produto de 22 mΩ adequado para projetos de alta potência. Encontra aplicação em topologias Totem Pole PFC (Correção do Fator de Potência) em sistemas de alta potência, bem como em estágios DC/DC ou AC/DC, onde a densidade de potência é um fator crítico. A Infineon oferece o IMT65R022M1H como parte de uma linha que inclui também CoolMOS™ e CoolGaN™, tornando-o uma opção completa para diversos sistemas de potência.