MOSFET CoolSiC 400V 15 mΩ D2PAK – IMBG40R015M2H

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CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 in D2PAK-7 (TO-263-7) package, 15 mΩ

SKU: IMBG40R015M2H Categoria: Marca:

MOSFET CoolSiC 400V 15 mΩ D2PAK – IMBG40R015M2H

O IMBG40R015M2H é um MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) da família CoolSiC G2, fabricado pela Infineon Technologies. Este componente de potência é projetado para operar com uma tensão de 400V e apresenta uma resistência no estado ligado (RDS(on)) de apenas 15 mΩ, o que minimiza as perdas por condução e aumenta a eficiência em aplicações de comutação de alta frequência. O encapsulamento D2PAK 7 (TO 263 7) proporciona uma excelente dissipação térmica, crucial para o desempenho em ambientes exigentes. O IMBG40R015M2H é ideal para diversas aplicações industriais, incluindo inversores solares, fontes de alimentação chaveadas, carregadores de veículos elétricos e sistemas de acionamento de motores. Sua tecnologia CoolSiC G2 oferece uma combinação superior de desempenho e confiabilidade, resultando em maior eficiência e menor aquecimento em comparação com outras tecnologias de MOSFET. A Infineon projetou o IMBG40R015M2H para otimizar o desempenho em aplicações onde a eficiência e a robustez são primordiais, garantindo uma vida útil prolongada e custos operacionais reduzidos.

Especificações Técnicas

Tipo de Componente MOSFET de Potência
Tensão VDS 400 V
Resistência no Estado Ligado (RDS(on)) 15 mΩ
Encapsulamento D2PAK 7 (TO 263 7)
Tecnologia CoolSiC G2

Perguntas Frequentes

Quais são as principais aplicações do MOSFET IMBG40R015M2H?

O MOSFET IMBG40R015M2H é ideal para aplicações como inversores solares, fontes de alimentação chaveadas, carregadores de veículos elétricos e sistemas de acionamento de motores, devido à sua alta eficiência e capacidade de operação em alta frequência.

Qual a vantagem da tecnologia CoolSiC G2 utilizada no IMBG40R015M2H?

A tecnologia CoolSiC G2 oferece uma combinação superior de desempenho e confiabilidade, resultando em maior eficiência e menor aquecimento em comparação com outras tecnologias de MOSFET.

Qual o encapsulamento do IMBG40R015M2H e qual sua importância?

O IMBG40R015M2H possui encapsulamento D2PAK 7 (TO 263 7). Este encapsulamento proporciona uma excelente dissipação térmica, o que é crucial para o bom funcionamento do componente em aplicações de alta potência e em ambientes de trabalho desafiadores.

🔗 Referência do Fabricante:
Página oficial IMBG40R015M2H – Infineon Technologies

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