MOSFET CoolSiC 400V 11 mΩ D2PAK – IMBG40R011M2H
O IMBG40R011M2H é um MOSFET de potência CoolSiC™ da Infineon Technologies, projetado para aplicações que exigem alta eficiência e desempenho em comutação. Este componente utiliza a tecnologia CoolSiC™ de carboneto de silício (SiC), proporcionando baixas perdas por condução e comutação, além de alta capacidade de corrente. O MOSFET IMBG40R011M2H opera com uma tensão de 400V e apresenta uma resistência no estado ligado (RDS(on)) de apenas 11 mΩ, minimizando as perdas de energia. O encapsulamento D2PAK 7 (TO 263 7) facilita a montagem em diversas placas de circuito impresso. As principais aplicações do IMBG40R011M2H incluem fontes de alimentação chaveadas (SMPS), conversores de potência, inversores solares, e sistemas de acionamento de motores em aplicações industriais e automotivas, onde a eficiência e a confiabilidade são cruciais.
Especificações Técnicas
| Tensão VDS | 400V |
|---|---|
| Resistência no estado ligado (RDS(on)) | 11 mΩ |
| Encapsulamento | D2PAK 7 (TO 263 7) |
| Tecnologia | CoolSiC™ |
| Fabricante | Infineon Technologies |
Perguntas Frequentes
Quais são os principais benefícios do MOSFET IMBG40R011M2H?
O IMBG40R011M2H oferece alta eficiência, baixas perdas por condução e comutação, e alta capacidade de corrente, tornando-o ideal para aplicações de potência que exigem desempenho superior.
Em quais aplicações o IMBG40R011M2H pode ser utilizado?
Este MOSFET CoolSiC™ é adequado para uma ampla gama de aplicações, incluindo fontes de alimentação chaveadas (SMPS), conversores de potência, inversores solares e sistemas de acionamento de motores.
Qual é o encapsulamento do IMBG40R011M2H?
O IMBG40R011M2H é fornecido no encapsulamento D2PAK 7 (TO 263 7), que facilita a montagem em placas de circuito impresso.
🔗 Referência do Fabricante:
Página oficial IMBG40R011M2H – Infineon Technologies
📄 Datasheet Oficial: Download Datasheet IMBG40R011M2H
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