MOSFET CoolSiC 1400V 19 mΩ TO-247 4pin – IMZC140R019M2H
O IMZC140R019M2H é um MOSFET discreto CoolSiC™ da Infineon, projetado para aplicações de alta tensão, com tensão de ruptura de 1400V e resistência de 19 mΩ. Este componente, em encapsulamento TO-247 de 4 pinos com alta distância de isolamento, é ideal para projetos com tensões de barramento superiores a 1000V. O IMZC140R019M2H oferece maior margem de tensão e confiabilidade aprimorada em aplicações existentes. Além disso, permite o aumento da velocidade de comutação, resultando em maior eficiência energética. Sua compatibilidade pin-a-pin o torna adequado para uma variedade de aplicações, incluindo sistemas fotovoltaicos (FV), carregamento de veículos elétricos (EV) e outras aplicações industriais exigentes. A tecnologia SiC (carbeto de silício) empregada no IMZC140R019M2H garante desempenho superior e robustez em ambientes adversos.
Especificações Técnicas
| Tensão VDS | 1400 V |
|---|---|
| Resistência no Canal (Rds(on)) | 19 mΩ |
| Encapsulamento | TO-247 4 pinos |
| Tecnologia | CoolSiC™ |
Perguntas Frequentes
Quais são os principais benefícios do MOSFET IMZC140R019M2H?
O IMZC140R019M2H oferece maior margem de tensão, confiabilidade aprimorada, maior velocidade de comutação e, consequentemente, maior eficiência energética.
Em quais aplicações o IMZC140R019M2H é recomendado?
Este MOSFET é ideal para aplicações como sistemas fotovoltaicos (FV), carregamento de veículos elétricos (EV) e outras aplicações industriais que exigem alta tensão e eficiência.
Qual a principal vantagem do encapsulamento TO-247 de 4 pinos?
O encapsulamento TO-247 de 4 pinos com alta distância de isolamento melhora a robustez e a segurança em aplicações de alta tensão, além de facilitar a montagem em circuitos.
🔗 Referência do Fabricante:
Página oficial IMZC140R019M2H – Infineon Technologies
📄 Datasheet Oficial: Download Datasheet IMZC140R019M2H
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