MOSFET CoolSiC 1200V Q DPAK Ponte H – IMSQ120R040M2HH

O MOSFET discreto CoolSiC™ IMSQ120R040M2HH da Infineon Technologies é um componente de alto desempenho projetado para aplicações industriais robustas. Este dispositivo de 1200V e 26 mΩ, com encapsulamento Q DPAK de ponte H dupla de montagem superior (top side cooled), oferece uma solução otimizada para diversas aplicações, incluindo acionamentos industriais, soluções de carregamento para veículos elétricos (EV), sistemas solares e fontes de alimentação ininterruptas (UPS). O encapsulamento Q DPAK simplifica a montagem e melhora o desempenho térmico, superando as soluções de montagem inferior (bottom side cooled). Ao otimizar o layout da placa de circuito impresso (PCB), o IMSQ120R040M2HH reduz os efeitos de componentes parasitas e indutâncias parasitas, além de aprimorar a capacidade de gerenciamento térmico. O design de montagem superior do encapsulamento Q DPAK representa uma nova era em termos de eficiência energética, flexibilidade de design e desempenho. A combinação da tecnologia CoolSiC™ com o encapsulamento inovador torna o IMSQ120R040M2HH uma escolha ideal para engenheiros que buscam confiabilidade e desempenho superior.