MOSFET CoolSiC 1200V Q DPAK – Infineon IMCQ120R040M2H
O IMCQ120R040M2H da Infineon é um MOSFET discreto CoolSiC™ de 1200 V da segunda geração (G2), projetado para aplicações industriais exigentes. Este componente, com resistência de 40 mΩ, apresenta encapsulamento Q DPAK com dissipação de calor pela parte superior (top side cooled), otimizando o desempenho térmico e facilitando a montagem. A solução Q DPAK oferece uma performance térmica superior, simplificando a montagem e reduzindo os custos do sistema. O MOSFET IMCQ120R040M2H representa uma nova era em eficiência energética, flexibilidade de projeto e performance, ideal para inversores de frequência, fontes de alimentação chaveadas e controladores de motor. Sua tecnologia CoolSiC™ garante alta eficiência e confiabilidade, tornando-o uma escolha ideal para aplicações industriais que buscam otimizar o desempenho e a durabilidade.
Especificações Técnicas
| Tipo de Componente | MOSFET Discreto |
|---|---|
| Tensão | 1200 V |
| Resistência | 40 mΩ |
| Encapsulamento | Q DPAK (dissipação superior) |
| Aplicação | Industrial |
Perguntas Frequentes
Quais as principais vantagens do MOSFET IMCQ120R040M2H?
O IMCQ120R040M2H oferece alta eficiência energética, excelente desempenho térmico devido à sua dissipação superior e fácil montagem, reduzindo custos do sistema.
Quais aplicações são recomendadas para o IMCQ120R040M2H?
Este MOSFET é ideal para aplicações industriais como inversores de frequência, fontes de alimentação chaveadas, controladores de motor e outras aplicações que demandam alta eficiência e confiabilidade.
Qual o fabricante do IMCQ120R040M2H?
O IMCQ120R040M2H é fabricado pela Infineon Technologies, uma líder em soluções de semicondutores.
🔗 Referência do Fabricante:
Página oficial IMCQ120R040M2H – Infineon Technologies
📄 Datasheet Oficial: Download Datasheet IMCQ120R040M2H
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