MOSFET CoolSiC 1200V G2 – TO-263-7 – IMBG120R008M2H

O IMBG120R008M2H é um MOSFET CoolSiC™ de 1200 V da segunda geração (G2) da Infineon Technologies, encapsulado em um TO-263-7. Este componente representa um avanço significativo em relação à tecnologia de primeira geração, oferecendo melhorias notáveis em figuras de mérito para operação em chaveamento duro e topologias de chaveamento suave. Projetado para otimizar o design de sistemas, o IMBG120R008M2H permite a criação de soluções mais eficientes, compactas, econômicas e confiáveis. É perfeitamente adequado para uma ampla gama de aplicações, incluindo estágios AC/DC, DC/DC e DC/AC. Sua tecnologia CoolSiC™ proporciona baixo tempo de recuperação reversa e perdas de chaveamento reduzidas, aumentando a eficiência geral do sistema. O encapsulamento TO-263-7 facilita a montagem em placa de circuito impresso (PCI) e o gerenciamento térmico. O IMBG120R008M2H é uma excelente escolha para aplicações que exigem alta tensão, alta eficiência e desempenho robusto.