MOSFET CoolSiC 1200V G2 40mΩ TO-247 4pin – IMZC120R040M2H

O IMZC120R040M2H, um MOSFET discreto CoolSiC™ da Infineon Technologies, representa um avanço significativo em tecnologia de semicondutores. Este componente, com tensão de ruptura de 1200 V e resistência de 40 mΩ, encapsulado em TO-247 4 pinos com alta distância de isolamento, supera a geração anterior, oferecendo soluções otimizadas em custo, eficientes, compactas, fáceis de projetar e confiáveis. O IMZC120R040M2H se destaca por seu desempenho aprimorado em operações de chaveamento rígido (hard switching) e em topologias de chaveamento suave (soft switching), ideal para combinações comuns de AC-DC, DC-DC e DC-AC. O design avançado do IMZC120R040M2H o torna perfeito para aplicações industriais como inversores solares, fontes de alimentação de alta eficiência, eacionamentos de motores e carregadores de veículos elétricos, onde a eficiência e a confiabilidade são primordiais. Sua tecnologia CoolSiC™ garante baixas perdas de comutação e alta densidade de potência, contribuindo para a redução de custos e aumento da vida útil dos equipamentos.