MOSFET CoolSiC 1200V 26 mΩ G2 Infineon – IMBG120R026M2H

Consulte as Condições de Fornecimento

CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

SKU: IMBG120R026M2H Categoria: Marca:

MOSFET CoolSiC 1200V 26 mΩ G2 Infineon – IMBG120R026M2H

O MOSFET CoolSiC™ 1200 V, 26 mΩ G2, com encapsulamento D2PAK 7L (TO 263 7), representa um avanço significativo em tecnologia de semicondutores de potência, desenvolvido pela Infineon Technologies. A segunda geração (G2) baseia-se nos pontos fortes da tecnologia de primeira geração, proporcionando melhorias notáveis em figuras de mérito essenciais para operação em comutação rígida e topologias de comutação suave. O IMBG120R026M2H foi projetado para otimizar o projeto de sistemas, resultando em soluções mais econômicas, eficientes, compactas e confiáveis. Este componente é ideal para uma ampla gama de aplicações, incluindo estágios AC/DC, DC/DC e DC/AC. A tecnologia CoolSiC™ da Infineon oferece desempenho superior em termos de eficiência energética e robustez. Ao escolher o IMBG120R026M2H, os engenheiros garantem a implementação de sistemas de potência de ponta, com foco em alta performance e confiabilidade. O MOSFET IMBG120R026M2H é a escolha certa para quem busca inovação e eficiência em seus projetos.

Especificações Técnicas

Tipo de Componente MOSFET CoolSiC
Tensão 1200 V
Resistência (Rds(on)) 26 mΩ
Encapsulamento D2PAK 7L (TO 263 7)
Fabricante Infineon Technologies

Perguntas Frequentes

Quais são os principais benefícios do MOSFET IMBG120R026M2H?

O MOSFET IMBG120R026M2H oferece maior eficiência energética, design de sistema otimizado, e confiabilidade aprimorada, resultando em soluções mais compactas e econômicas.

Em quais aplicações o IMBG120R026M2H é recomendado?

Este MOSFET é ideal para aplicações que envolvem estágios AC/DC, DC/DC e DC/AC, bem como em projetos industriais que demandam alta performance e eficiência.

Qual a principal diferença entre a Geração 2 (G2) e a geração anterior?

A Geração 2 (G2) apresenta melhorias significativas nas figuras de mérito, tanto para operação em comutação rígida quanto em topologias de comutação suave, levando a um desempenho superior em comparação com a geração anterior.

🔗 Referência do Fabricante:
Página oficial IMBG120R026M2H – Infineon Technologies

📄 Datasheet Oficial: Download Datasheet IMBG120R026M2H

Interessado no IMBG120R026M2H?

Solicite uma cotação personalizada com nossa equipe técnica


📩 Solicitar Cotação – IMBG120R026M2H

Resposta em até 24h úteis • Suporte técnico especializado

Carrinho de compras