MOSFET CoolSiC 1200V 22mΩ TO247-4 Infineon – IMZA120R022M2H
O IMZA120R022M2H é um MOSFET discreto CoolSiC™ da Infineon Technologies, projetado para oferecer desempenho superior em aplicações de alta tensão. Este componente opera em 1200 V e possui uma resistência de 22 mΩ no encapsulamento TO247-4, garantindo compatibilidade com montagens existentes e facilidade na substituição de componentes. A tecnologia CoolSiC™ proporciona melhor desempenho em operações de chaveamento duro e em topologias de chaveamento suave, otimizando o design de sistemas e tornando-os mais compactos e eficientes. O MOSFET IMZA120R022M2H é ideal para diversas aplicações, incluindo conversores AC/DC, DC/DC e inversores DC/AC, oferecendo uma solução avançada para sistemas que buscam alta eficiência e confiabilidade.
Especificações Técnicas
| Tensão | 1200 V |
|---|---|
| Resistência (Rds(on)) | 22 mΩ |
| Encapsulamento | TO247-4 |
| Tecnologia | CoolSiC™ |
Perguntas Frequentes
Quais são os principais benefícios do MOSFET IMZA120R022M2H?
O IMZA120R022M2H oferece alta eficiência energética, design compacto, facilidade de projeto e maior confiabilidade para seus sistemas. Ele também apresenta melhor desempenho em operações de chaveamento duro e suave.
Em quais aplicações o IMZA120R022M2H pode ser utilizado?
Este MOSFET é ideal para uma ampla gama de aplicações, incluindo conversores AC/DC, DC/DC e inversores DC/AC. É uma excelente solução para sistemas que requerem alta performance e eficiência energética.
Qual é o encapsulamento do IMZA120R022M2H?
O IMZA120R022M2H utiliza o encapsulamento TO247-4, o que facilita a montagem e a substituição em projetos existentes.
🔗 Referência do Fabricante:
Página oficial IMZA120R022M2H – Infineon Technologies
📄 Datasheet Oficial: Download Datasheet IMZA120R022M2H
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