MOSFET CoolSiC 1200V 22mΩ G2 – TO-263-7 – IMBG120R022M2H

O IMBG120R022M2H, um MOSFET CoolSiC™ de 1200 V e 22 mΩ G2 da Infineon, representa um avanço significativo em tecnologia de semicondutores de potência. Projetado no encapsulamento D2PAK 7L (TO 263 7), este componente se destaca por aprimorar a eficiência e o desempenho em diversas aplicações. A segunda geração (G2) do IMBG120R022M2H oferece melhorias consideráveis em figuras de mérito, tanto para operação em comutação rígida quanto para topologias de comutação suave. Isso o torna adequado para uma ampla gama de configurações de estágios AC-DC, DC-DC e DC-AC. Este MOSFET é ideal para aplicações exigentes, onde eficiência e confiabilidade são cruciais, como inversores solares, fontes de alimentação de alta eficiência, carregadores de veículos elétricos e sistemas de acionamento industrial. O IMBG120R022M2H permite projetos de sistema otimizados em termos de custo, com maior eficiência, compactação e durabilidade.