MOSFET CoolSiC 1200V 22mΩ G2 TO-247 4pin – IMZC120R022M2H
O IMZC120R022M2H é um MOSFET discreto CoolSiC™ de 1200 V da Infineon Technologies, pertencente à Geração 2, encapsulado em TO-247 de 4 pinos com alta distância de escoamento. Este componente representa um avanço significativo em relação à tecnologia de primeira geração, proporcionando melhorias notáveis para sistemas mais otimizados em termos de custo, eficientes, compactos, fáceis de projetar e confiáveis. O MOSFET IMZC120R022M2H demonstra desempenho aprimorado tanto em operação de chaveamento rígido quanto em topologias de chaveamento suave, sendo ideal para uma ampla gama de aplicações, incluindo estágios AC/DC, DC/DC e DC/AC. Sua baixa resistência no estado ligado (22 mΩ) e alta tensão de ruptura o tornam uma excelente escolha para inversores solares, fontes de alimentação de alta eficiência e controladores de motor industriais. O IMZC120R022M2H é projetado para maximizar a eficiência e a confiabilidade em aplicações exigentes.
Especificações Técnicas
| Tensão VDS | 1200 V |
|---|---|
| Resistência no estado ligado (Rds(on)) | 22 mΩ |
| Encapsulamento | TO-247 4pin com alta distância de escoamento |
| Tecnologia | CoolSiC Geração 2 |
Perguntas Frequentes
Quais são os principais benefícios do MOSFET IMZC120R022M2H?
O IMZC120R022M2H oferece melhor desempenho, otimização de custos, maior eficiência, design compacto, facilidade de projeto e maior confiabilidade em comparação com gerações anteriores de MOSFETs.
Em quais aplicações o IMZC120R022M2H pode ser utilizado?
Este MOSFET é ideal para aplicações em estágios AC/DC, DC/DC e DC/AC, incluindo inversores solares, fontes de alimentação de alta eficiência e controladores de motor industriais.
Qual o encapsulamento do IMZC120R022M2H?
O IMZC120R022M2H é encapsulado em TO-247 de 4 pinos, com alta distância de escoamento, garantindo um design robusto e seguro.
🔗 Referência do Fabricante:
Página oficial IMZC120R022M2H – Infineon Technologies
📄 Datasheet Oficial: Download Datasheet IMZC120R022M2H
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