MOSFET CoolMOS 600V com Sensor de Temperatura – IPDQ60T022S7
O IPDQ60T022S7 é um MOSFET CoolMOS S7T da Infineon, projetado para aplicações que exigem alta eficiência e confiabilidade. Este componente chave apresenta uma tensão de dreno-fonte de 600V e integra um sensor de temperatura, aumentando a precisão da detecção e a robustez do sistema. O encapsulamento Q DPAK TSC (PG HDSOP 22) facilita a montagem e a dissipação de calor. O dispositivo é otimizado para aplicações de chaveamento em baixa frequência e alta corrente. O sensor de temperatura integrado permite um melhor aproveitamento do transistor de potência, otimizando o desempenho e a segurança. O IPDQ60T022S7 é uma excelente opção para projetos que envolvem relés de estado sólido, disjuntores e retificação de linha em fontes de alimentação chaveadas (SMPS), oferecendo uma solução completa e de alto desempenho.
Especificações Técnicas
| Tipo de Transistor | MOSFET de Potência |
|---|---|
| Tensão Dreno-Fonte (Vds) | 600 V |
| Sensor de Temperatura | Integrado |
| Encapsulamento | Q DPAK TSC (PG HDSOP 22) |
| Aplicação | Chaveamento de alta corrente e baixa frequência |
Perguntas Frequentes
Quais as principais vantagens do sensor de temperatura integrado no IPDQ60T022S7?
O sensor de temperatura integrado melhora a precisão da detecção da temperatura da junção do MOSFET, aumentando a robustez e permitindo um melhor aproveitamento do transistor de potência.
Quais aplicações são recomendadas para o IPDQ60T022S7?
O IPDQ60T022S7 é ideal para aplicações como relés de estado sólido, disjuntores e retificação de linha em fontes de alimentação chaveadas (SMPS).
Qual o fabricante do MOSFET IPDQ60T022S7?
O IPDQ60T022S7 é fabricado pela Infineon Technologies.
🔗 Referência do Fabricante:
Página oficial IPDQ60T022S7 – Infineon Technologies
📄 Datasheet Oficial: Download Datasheet IPDQ60T022S7
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