MOSFET 650V CoolMOS CFD7 – Alta Eficiência – IPDQ65R017CFD7
O IPDQ65R017CFD7 é um MOSFET de superjunção CoolMOS™ CFD7 de 650 V da Infineon, encapsulado em QDPAK, projetado para aplicações industriais que exigem alta eficiência e densidade de potência. Este componente é ideal para topologias ressonantes em áreas como servidores, telecomunicações, energia solar e estações de carregamento de veículos elétricos (EV). Comparado à família CFD2, o IPDQ65R017CFD7 apresenta carga de gate reduzida, comportamento de desligamento aprimorado e carga de recuperação reversa reduzida, resultando em maior eficiência e densidade de potência. Além disso, o dispositivo oferece uma tensão de ruptura adicional de 50 V, aumentando sua robustez. O IPDQ65R017CFD7 representa uma solução avançada para otimizar o desempenho em sistemas de alta potência.
Especificações Técnicas
| Tensão | 650 V |
|---|---|
| Tecnologia | CoolMOS™ CFD7 |
| Encapsulamento | QDPAK |
| Aplicações | Servidores, Telecomunicações, Solar, Carregamento EV |
Perguntas Frequentes
Quais são os principais benefícios do MOSFET IPDQ65R017CFD7?
O IPDQ65R017CFD7 oferece alta eficiência, densidade de potência aprimorada, carga de gate reduzida, comportamento de desligamento melhorado e carga de recuperação reversa reduzida, resultando em maior desempenho em aplicações ressonantes.
Em quais aplicações o IPDQ65R017CFD7 é recomendado?
Este MOSFET é ideal para topologias ressonantes em aplicações industriais, incluindo servidores, telecomunicações, energia solar e estações de carregamento de veículos elétricos (EV).
Qual a diferença entre o IPDQ65R017CFD7 e os MOSFETs CFD2?
O IPDQ65R017CFD7, um sucessor da família CFD2, possui carga de gate reduzida, comportamento de desligamento melhorado, carga de recuperação reversa reduzida e uma tensão de ruptura adicional de 50V, oferecendo um desempenho superior.
🔗 Referência do Fabricante:
Página oficial IPDQ65R017CFD7 – Infineon Technologies
📄 Datasheet Oficial: Download Datasheet IPDQ65R017CFD7
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