Módulo Ponte H CoolSiC MOSFET 1200V – FF4MR12W2M1HP_B11
O FF4MR12W2M1HP_B11 da Infineon é um módulo EasyDUAL™ 2B que integra MOSFETs CoolSiC™ em configuração de meia ponte (half bridge), projetado para operação em 1200 V. Este componente se destaca por sua baixa resistência no estado ligado (4 mΩ) e otimizado para aplicações que exigem alta eficiência e confiabilidade. O módulo incorpora um sensor de temperatura NTC integrado, facilitando o monitoramento térmico, e utiliza material de interface térmica (TIM) pré-aplicado, simplificando a montagem e melhorando a transferência de calor. A tecnologia PressFIT Contact garante uma conexão elétrica robusta e confiável. O FF4MR12W2M1HP_B11 é ideal para uso em inversores solares, sistemas de acionamento de motores, fontes de alimentação chaveadas e outras aplicações industriais de potência, onde o desempenho e a durabilidade são críticos. Sua arquitetura de meia ponte oferece flexibilidade no design e otimização para diversas topologias. A escolha por CoolSiC™ MOSFETs, como no FF4MR12W2M1HP_B11, proporciona menores perdas de comutação e maior eficiência energética, comparado a soluções com silício.
Especificações Técnicas
| Tipo de Componente | Módulo Ponte H CoolSiC MOSFET |
|---|---|
| Tensão | 1200 V |
| Configuração | Meia Ponte (Half Bridge) |
| Resistência no Estado Ligado | 4 mΩ |
| Sensor de Temperatura | NTC Integrado |
Perguntas Frequentes
Quais são as principais vantagens do FF4MR12W2M1HP_B11?
O FF4MR12W2M1HP_B11 oferece alta eficiência energética, baixa resistência no estado ligado, sensor de temperatura integrado e fácil instalação devido ao material de interface térmica pré-aplicado e tecnologia PressFIT.
Quais aplicações típicas utilizam este módulo?
Este módulo é ideal para inversores solares, sistemas de acionamento de motores, fontes de alimentação chaveadas e outras aplicações industriais que requerem alta potência e eficiência.
O que significa CoolSiC™?
CoolSiC™ refere-se à tecnologia da Infineon que utiliza MOSFETs de carboneto de silício (SiC), proporcionando melhores perdas de comutação e maior eficiência em comparação com os MOSFETs de silício tradicionais.
🔗 Referência do Fabricante:
Página oficial FF4MR12W2M1HP_B11 – Infineon Technologies
📄 Datasheet Oficial: Download Datasheet FF4MR12W2M1HP_B11
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