Módulo MOSFET CoolSiC™ Dual 1200V – FF11MR12W2M1H_B70

O FF11MR12W2M1H_B70 da Infineon é um módulo de potência EasyDUAL™ 2B que incorpora dois MOSFETs CoolSiC™ em configuração de meia ponte (half bridge). Projetado para operar em tensões de até 1200 V, este componente oferece uma resistência no estado ligado (RDS(on)) de apenas 11 mΩ por transistor, otimizado para aplicações de alta potência e alta frequência. O módulo integra um sensor de temperatura NTC para monitoramento preciso e seguro. A tecnologia de contato PressFIT simplifica a montagem e garante conexões confiáveis. Fabricado com cerâmica de nitreto de alumínio, o FF11MR12W2M1H_B70 proporciona excelente dissipação de calor, crucial para o desempenho em ambientes desafiadores. Este módulo é ideal para aplicações como inversores solares, conversores de energia, sistemas de acionamento de motores e fontes de alimentação chaveadas, onde a eficiência e a confiabilidade são primordiais. A utilização do FF11MR12W2M1H_B70 permite a construção de sistemas mais compactos e com maior densidade de potência, reduzindo custos e aumentando a vida útil dos equipamentos.