Módulo IGBT SEMIKRON SKM600GM12E4
O módulo IGBT SKM600GM12E4 da SEMIKRON é projetado para aplicações exigentes em eletrônica de potência. Sua arquitetura otimizada, com IGBT Trench de 4ª geração e diodos CAL4, o torna adequado para topologias como pontes trifásicas e conversores DC-DC. A robustez térmica, aliada à capacidade de operar em frequências de comutação de até 12kHz, garante alta confiabilidade em ambientes adversos.
Este módulo é particularmente eficaz em sistemas que requerem alta densidade de potência, graças ao seu invólucro SEMITRANS 3, que permite um design compacto sem comprometer o desempenho. A integração do resistor de gate simplifica o projeto do circuito, reduzindo o número de componentes externos e facilitando a implementação em diversas aplicações.
Especificações
| Parâmetro | Valor |
|---|---|
| Tensão de coletor-emissor (VCES) | 1200V |
| Corrente de coletor nominal (ICnom) | 600A |
| Tecnologia IGBT | Trench de 4ª geração (Infineon) |
| Diodo de roda livre | CAL4 de 4ª geração |
| Frequência de comutação | Até 12kHz |
| Invólucro | SEMITRANS 3 (106x62x31 mm) |
| Resistor de gate | Integrado |
| Base | Cobre isolada com tecnologia DBC |
| Certificação | UL (arquivo nº E63532) |
Compatibilidade e aplicações
O módulo SKM600GM12E4 é amplamente utilizado em inversores de frequência para controle de motores, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e em conversores de frequência para acionamentos de velocidade variável. Sua alta capacidade de corrente e tensão, combinada com a eficiência da tecnologia IGBT de 4ª geração, o torna ideal para aplicações de eletrônica de potência de alta performance.
Referência do fabricante
Disponível sob consulta.
Datasheet (PDF)
Datasheet não disponível.
