Módulo IGBT Semikron SKM150GM12T4G
O módulo IGBT SKM150GM12T4G da Semikron é projetado para aplicações exigentes, onde confiabilidade e eficiência são cruciais. Este componente se destaca em topologias como pontes trifásicas e conversores DC-AC, oferecendo uma solução robusta para o controle de potência. Sua faixa de tensão de coletor-emissor (VCES) de 1200V e corrente de coletor nominal (ICnom) de 150A o tornam adequado para sistemas de alta potência.
A tecnologia IGBT4 (Trench) e o diodo CAL4 de comutação suave garantem baixo nível de ruído e perdas reduzidas. A robustez térmica do módulo, combinada com a capacidade de ciclagem de potência, assegura uma longa vida útil em ambientes operacionais desafiadores.
O invólucro SEMITRANS 3, com base de cobre isolada e tecnologia DBC (Direct Bonded Copper), contribui para a dissipação eficiente do calor, fundamental para manter o desempenho em altas frequências de chaveamento, de até 20kHz.
Especificações
| Característica | Especificação |
|---|---|
| Tecnologia IGBT | IGBT4 (Trench) |
| Diodo | CAL4 |
| Tensão Coletor-Emissor (VCES) | 1200V |
| Corrente Coletor Nominal (ICnom) | 150A |
| Frequência de Chaveamento | Até 20kHz |
| Resistor de Gate | Integrado |
| Invólucro | SEMITRANS 3 (106x62x31 mm) |
| Base | Cobre isolada, DBC |
| Capacidade de Ciclagem | Excelente |
| Certificação | UL, arquivo nº E63532 |
Compatibilidade e Aplicações
O módulo IGBT SKM150GM12T4G é amplamente utilizado em:
- Inversores solares e eólicos
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS) de grande porte
- Acionamentos de motores de alta potência
Referência do fabricante
Informação indisponível.
Datasheet (PDF)
Informação indisponível.
