Módulo IGBT Semikron SK50GD12T4ETE2
O SK50GD12T4ETE2 da Semikron é um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) projetado para otimizar o desempenho em diversas topologias de eletrônica de potência. Sua configuração Six Pack (3 pares de IGBTs e diodos) o torna ideal para aplicações em inversores trifásicos, pontes H e outras configurações de conversão de energia.
Este módulo IGBT opera com uma tensão coletor-emissor (VCES) de 1200V e suporta uma corrente de coletor (IC) de 50A, oferecendo flexibilidade para diversos projetos. Sua robustez térmica, com temperatura de junção (Tj) de -40°C a +150°C, assegura confiabilidade em ambientes industriais desafiadores.
Especificações
- Tecnologia: IGBT 4 (Trench)
- Tensão Coletor-Emissor (VCES): 1200 V
- Corrente de Coletor (IC): 50 A
- Configuração: Six Pack (3 pares de IGBTs e diodos)
- Encapsulamento: SEMITOP E2 (63 x 57 x 12 mm)
- Temperatura de Junção (Tj): -40°C a +150°C
Compatibilidade e aplicações
O SK50GD12T4ETE2 é amplamente utilizado em:
- Inversores de frequência para controle de motores.
- Sistemas de energia ininterrupta (UPS).
- Fontes de alimentação industriais.
Referência do fabricante
N/A
Datasheet (PDF)
N/A
