Módulo IGBT Semikron SK25DGDL12T7ETE2s

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Módulo IGBT Semikron SK25DGDL12T7ETE2s: componente de alta potência com tecnologia IGBT T7 e diodos CAL4F. Ideal para aplicações exigentes, como inversores e

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Módulo IGBT Semikron SK25DGDL12T7ETE2s

O módulo IGBT SK25DGDL12T7ETE2s da Semikron é projetado para otimizar o desempenho em diversas topologias de inversores e conversores de frequência. Operando com uma tensão de coletor-emissor de 1200V e corrente de coletor contínua de 25A, este módulo é adequado para aplicações de média a alta potência. Sua robustez térmica, aliada ao invólucro SEMITOP E2 Solder, garante operação confiável em ambientes desafiadores, com capacidade de suportar picos de corrente e temperatura.

Este módulo IGBT integra a tecnologia de 7ª geração (T7) da Semikron, otimizando as perdas de chaveamento e conduzindo. O diodo CAL4F melhora a robustez do sistema, tornando-o ideal para aplicações que demandam alta performance e durabilidade.

Especificações

Característica Especificação
Tecnologia IGBT 7ª Geração (T7)
Tensão Coletor-Emissor (VCES) 1200V
Corrente de Coletor Contínua (ICnom) 25A
Diodo CAL4F e PEP
Sensor de Temperatura NTC Integrado
Invólucro SEMITOP E2 Solder

Compatibilidade e Aplicações

O SK25DGDL12T7ETE2s é amplamente utilizado em inversores de frequência para controle de motores, sistemas de alimentação ininterrupta (UPS) e fontes industriais. Sua combinação de alta tensão, corrente e desempenho térmico o torna adequado para uma variedade de aplicações de potência.

Ideal para aplicações industriais exigentes.

Observação: Consulte a folha de dados para especificações detalhadas.

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