Módulo IGBT Semikron SEMiX603GB12E4SiCp
O SEMiX603GB12E4SiCp é um módulo IGBT trifásico de alta performance, projetado para operar em topologias de ponte completa. Sua combinação de IGBTs de silício (Si) com diodos de carboneto de silício (SiC) otimiza o desempenho em aplicações que exigem alta eficiência e confiabilidade. Este módulo é particularmente adequado para sistemas com faixas de tensão de 1200V e correntes nominais de até 600A. A robustez térmica, com temperatura de junção máxima de 175°C, garante operação estável em ambientes desafiadores.
O design do SEMiX603GB12E4SiCp inclui encapsulamento SEMiX 3p, que facilita a integração em diversos sistemas. A tecnologia Trenchgate e os diodos SiC Schottky contribuem para a redução das perdas por comutação, aumentando a eficiência geral do sistema.
Especificações
| Característica | Especificação |
|---|---|
| Número da peça | 27895300 |
| Tecnologia | Diodo SiC + IGBT 4 (Trench) |
| Configuração | Ponte completa trifásica |
| Tensão coletor-emissor (VCE) | 1200V |
| Corrente de coletor nominal (ICnom) | 600A |
| Temperatura de junção máxima (Tj) | 175°C |
| Encapsulamento | SEMiX 3p (150x62x17 mm) |
| Peso | 0.35 kg |
Compatibilidade e aplicações
O módulo SEMiX603GB12E4SiCp é ideal para diversas aplicações, incluindo inversores de frequência para controle de motores, sistemas de alimentação ininterrupta (UPS) e aplicações de tração elétrica. Sua robustez e eficiência o tornam uma excelente escolha para sistemas de alta potência.
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