Módulo IGBT SEMiX603GB12E4pV1 Semikron
O SEMiX603GB12E4pV1 da Semikron é um módulo IGBT de alta performance, projetado para atender às exigências de aplicações de potência que demandam alta confiabilidade e eficiência. Este módulo, configurado em meia ponte, é otimizado para topologias como inversores de frequência e conversores de potência, oferecendo uma solução robusta para o controle preciso de energia.
Com tecnologia IGBT de quarta geração (Trench), o SEMiX603GB12E4pV1 minimiza as perdas de comutação, resultando em maior eficiência energética. Seu encapsulamento SEMiX 3p e material cerâmico otimizado termicamente garantem excelente dissipação de calor, permitindo operação em temperaturas elevadas e contribuindo para a longa vida útil do componente. A alta capacidade de curto-circuito integrada protege o sistema contra sobrecargas e falhas.
Especificações
| Característica | Valor |
|---|---|
| Tecnologia | IGBT 4 (Trench) |
| Configuração | Meia Ponte |
| Tensão de Coletor-Emissor (VCES) | 1200V |
| Corrente de Coletor Nominal (ICnom) | 600A |
| Encapsulamento | SEMiX 3p (150x62x17 mm) |
| Material do encapsulamento | Cerâmica otimizada termicamente |
| Características | Homogeneous Si, Trenchgate technology, VCE(sat) com coeficiente de temperatura positivo, alta capacidade de curto-circuito, pinos press-fit como contatos auxiliares. |
Compatibilidade e Aplicações
O módulo SEMiX603GB12E4pV1 é ideal para aplicações como inversores de frequência, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e sistemas de energia renovável. Sua alta capacidade de corrente e robustez térmica o tornam adequado para ambientes industriais exigentes, garantindo o desempenho confiável em diversas aplicações.
Referência do fabricante: N/A
Datasheet (PDF): N/A
