Módulo IGBT SEMiX603GAL12E4p – 1200V, 600A
O módulo IGBT SEMiX603GAL12E4p da Semikron é projetado para atender às demandas de aplicações de alta potência, oferecendo desempenho superior em diversas topologias de conversão. Sua configuração em meia ponte e a tecnologia IGBT 4 (Trench) o tornam ideal para otimizar a eficiência em inversores de frequência e sistemas de energia. Com uma capacidade de corrente de 600A e tensão de 1200V, este módulo garante a robustez necessária para operar em ambientes industriais desafiadores. A faixa de temperatura de junção de -40°C a 150°C demonstra sua capacidade de manter a performance sob condições térmicas extremas, assegurando confiabilidade e longa vida útil.
O encapsulamento SEMiX 3p (150x62x17) facilita a integração em sistemas compactos, enquanto a inclusão de diodos emissores livres (free-wheeling) e as características de comutação otimizadas contribuem para a redução de perdas e aumento da eficiência energética. O SEMiX603GAL12E4p é uma solução confiável para projetos que exigem alta potência e desempenho consistente.
Especificações
| Especificação | Valor |
|---|---|
| Tensão de Coleletor-Emissor (VCES) | 1200V |
| Corrente de Coleletor (IC) | 600A |
| Configuração | Meia Ponte |
| Tecnologia | IGBT 4 (Trench) |
| Encapsulamento | SEMiX 3p (150x62x17) |
| Temperatura de Junção (Tj) | -40°C a 150°C |
| Montagem | Parafusos |
| Diodo Emissor Livre | Sim |
| Características de Comutação | Otimizadas para alta eficiência |
Compatibilidade e Aplicações
O módulo IGBT SEMiX603GAL12E4p é largamente utilizado em inversores de frequência para controle de motores, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) de alta capacidade, e sistemas de tração elétrica, demonstrando sua versatilidade e confiabilidade em diversas aplicações.
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