Módulo IGBT Semikron SEMiX452GAL126HDs
O módulo IGBT SEMiX452GAL126HDs da Semikron é projetado para otimizar o desempenho em topologias como pontes trifásicas e conversores de frequência. Sua robustez térmica, com faixa de temperatura de junção de -40°C a 150°C, o torna adequado para ambientes exigentes. A tecnologia Trench IGBT de terceira geração garante baixa perda de potência e alta eficiência em uma ampla gama de aplicações.
Com corrente de coletor de 300A e capacidade de corrente de coletor pulsada de 600A, este módulo oferece grande capacidade de manuseio de potência.
Especificações
| Parâmetro | Valor |
|---|---|
| Tecnologia | IGBT 3 (Trench) |
| Tensão de bloqueio (VCES) | 1200 V |
| Corrente de coletor (IC) | 300 A |
| Corrente de coletor pulsada (ICRM) | 600 A |
| Tensão de porta-emissor (VGES) | ±20 V |
| Temperatura de junção (Tj) | -40°C a 150°C |
| Encapsulamento | SEMiX 2s (117x64x17 mm) |
| Montagem | Press-Fit, parafuso |
Compatibilidade e aplicações
O módulo SEMiX452GAL126HDs é amplamente utilizado em:
- Inversores de frequência para controle de motores
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Sistemas de tração
- Fontes de alimentação industriais
Referência do fabricante:
(Informação não disponível)
Datasheet (PDF):
(Informação não disponível)
