Introdução
O módulo IGBT SEMiX402GB066HDs da Semikron é uma solução de alta potência, ideal para aplicações industriais que exigem robustez e eficiência. Este módulo, com sua tecnologia Trenchgate de terceira geração e configuração de meia ponte, se destaca pela capacidade de lidar com altas correntes e tensões, garantindo um desempenho confiável mesmo em condições operacionais severas.
Projetado para otimizar a performance em conversores de matriz, inversores ressonantes e inversores de fonte de corrente, o SEMiX402GB066HDs oferece uma combinação única de alta potência e baixa perda de comutação. Sua construção com Homogeneous Si e o VCE(sat) com coeficiente de temperatura positivo asseguram uma operação estável e protegem contra sobrecargas térmicas.
Especificações
- Número da peça: SEMiX402GB066HDs
- Tecnologia: IGBT 3 (Trench)
- Configuração: Meia ponte
- Tensão coletor-emissor (VCES): 600V
- Corrente de coletor nominal (ICnom): 400A
- Temperatura de junção máxima (Tj): 175°C
- Encapsulamento: SEMiX 2s (117x64x17 mm)
- Características: Homogeneous Si, Trenchgate technology, VCE(sat) com coeficiente de temperatura positivo
Compatibilidade e aplicações
O SEMiX402GB066HDs é amplamente utilizado em:
- Inversores para sistemas de energia solar e eólica.
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS).
- Sistemas de tração para veículos elétricos e híbridos.
Embora versátil, a compatibilidade ideal depende das especificações de cada aplicação.
Referência do fabricante
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Datasheet (PDF)
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