Módulo IGBT Semikron SEMiX303GB17E4p
O módulo IGBT SEMiX303GB17E4p da Semikron é projetado para aplicações exigentes, onde alta potência e confiabilidade são cruciais. Sua configuração de meia ponte o torna ideal para topologias de inversor de frequência, conversores DC-DC e outras aplicações de comutação. A robustez térmica, com temperatura de junção de -40°C a 175°C, garante desempenho estável mesmo em ambientes desafiadores.
Este módulo IGBT utiliza a tecnologia Trench IGBT de 4ª geração, otimizada para minimizar perdas de comutação e condução, resultando em maior eficiência e menor dissipação de calor. O encapsulamento SEMiX 3p facilita a integração em sistemas compactos e a montagem por parafuso e prensa garante uma conexão segura e confiável.
Especificações
| Característica | Valor |
|---|---|
| Tecnologia | IGBT 4 (Trench) |
| Configuração | Meia ponte |
| Tensão coletor-emissor (VCES) | 1700V |
| Corrente de coletor (IC) | 300A |
| Frequência de comutação (fsw) | Até 50kHz |
| Temperatura de junção (Tj) | -40°C a 175°C |
| Encapsulamento | SEMiX 3p (150x62x17) |
| Montagem | Parafuso e prensa |
| Recursos de proteção | Proteção contra curto-circuito e sobretensão |
Compatibilidade e aplicações
O SEMiX303GB17E4p é amplamente utilizado em:
- Inversores de frequência para acionamento de motores.
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS).
- Sistemas de tração elétrica.
O módulo oferece proteção contra curto-circuito e sobretensão, garantindo a segurança e a longevidade do sistema.
Referência do fabricante:
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Datasheet (PDF)
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