Módulo IGBT SEMiX303GB12Vs – Semikron
O módulo IGBT SEMiX303GB12Vs da Semikron é projetado para otimizar o desempenho em diversas topologias de inversores de frequência e conversores. Sua configuração de meia ponte e robustez térmica permitem operar em ambientes exigentes, garantindo a integridade do sistema em aplicações de alta potência. Com uma tensão de coletor-emissor de 1200V e capacidade de corrente de 300A, este módulo oferece flexibilidade para projetos que demandam alta eficiência e confiabilidade.
A tecnologia V-IGBT e o encapsulamento SEMiX 3s otimizam a dissipação de calor, prolongando a vida útil e reduzindo o risco de falhas. A combinação de alta capacidade de curto-circuito e características de comutação aprimoradas faz do SEMiX303GB12Vs uma escolha estratégica para engenheiros que buscam excelência em seus projetos.
Especificações
| Característica | Valor |
|---|---|
| Tecnologia | V-IGBT |
| Tensão de Coletor-Emissor (VCES) | 1200 V |
| Corrente de Coletor (IC) | 300 A |
| Configuração | Meia Ponte |
| Encapsulamento | SEMiX 3s (150x64x17 mm) |
| Número da Peça | 27890131 |
| Status do Produto | Em produção |
Compatibilidade e Aplicações
O módulo SEMiX303GB12Vs é especialmente adequado para uso em inversores de frequência para acionamentos de motores, sistemas de alimentação ininterrupta (UPS) e fontes industriais. Sua robustez e eficiência o tornam uma solução confiável para aplicações que exigem alta performance e proteção contra sobrecargas.
Referência do fabricante
Disponível mediante solicitação.
Datasheet (PDF)
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