Módulo IGBT Semikron SEMiX303GB12M7p
O módulo IGBT SEMiX303GB12M7p da Semikron é uma solução robusta e eficiente para aplicações que demandam alta potência e confiabilidade. Projetado para topologias de meia ponte, este módulo oferece excelente desempenho em conversores de frequência, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e acionamentos de motores. Sua capacidade de operar em faixas de tensão de até 1200V e corrente de até 300A o torna adequado para uma ampla gama de aplicações industriais.
A tecnologia Trenchgate e o chip de silício homogêneo garantem baixas perdas e alta capacidade de sobrecarga, resultando em maior eficiência e vida útil prolongada. O invólucro SEMiX 3p facilita a integração em diversos projetos, enquanto o coeficiente de temperatura positivo de VCE(sat) contribui para a estabilidade térmica.
Especificações
- Número da peça: 27895107
- Tecnologia: IGBT M7
- Configuração: Meia ponte
- Tensão de bloqueio coletor-emissor (VCES): 1200 V
- Corrente de coletor nominal (ICnom): 300 A
- Invólucro: SEMiX 3p (150x62x17 mm)
- Tipo de chip: Homogêneo de silício
- Tecnologia de porta: Trenchgate
- Características adicionais: VCE(sat) com coeficiente de temperatura positivo, alta capacidade de sobrecarga, baixas perdas
Compatibilidade e Aplicações
O SEMiX303GB12M7p é comumente utilizado em:
- Inversores de frequência
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Sistemas de tração
Esses módulos são ideais para aplicações que exigem alta capacidade de comutação e robustez.
Observação: A compatibilidade do módulo com sua aplicação específica deve ser verificada com base nas especificações e requisitos do projeto.
