Introdução
O módulo IGBT SEMiX303GB12E4s da Semikron é projetado para aplicações de alta potência, destacando-se em topologias de meia ponte. Sua tecnologia Trench 4 garante baixo perfil de perdas e maior eficiência em sistemas de conversão de energia. O SEMiX303GB12E4s opera com uma faixa de tensão de coletor-emissor (VCES) de 1200V e corrente nominal de coletor (ICnom) de 300A, suportando altas temperaturas de junção (Tj) de até 175°C, o que o torna ideal para ambientes industriais severos. A robustez térmica é um dos seus pontos fortes, assegurando confiabilidade e longa vida útil.
O encapsulamento SEMiX 3s (150x64x17 mm) facilita a integração em diversos sistemas, otimizando o espaço e simplificando a montagem. A combinação de alta capacidade de corrente, baixa resistência em condução e a tecnologia Trench 4, tornam o SEMiX303GB12E4s uma excelente escolha para aplicações que demandam desempenho superior e alta confiabilidade.
Especificações
| Especificação | Valor |
|---|---|
| Tecnologia | IGBT 4 (Trench) |
| Configuração | Meia Ponte |
| Tensão de Coletor-Emissor (VCES) | 1200V |
| Corrente de Coletor Nominal (ICnom) | 300A |
| Frequência de Chaveamento | Alta frequência |
| Temperatura de Junção (Tj) | -40°C a 175°C |
| Encapsulamento | SEMiX 3s (150x64x17 mm) |
| Montagem | Parafusos |
| Peso | Aproximadamente 300g |
Compatibilidade e aplicações
O módulo IGBT SEMiX303GB12E4s é amplamente utilizado em:
- Inversores de frequência para acionamento de motores AC.
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS) de alta potência.
- Conversores de energia em sistemas de soldagem industrial.
Referência do fabricante
N/A
Datasheet (PDF)
N/A
