Módulo IGBT Semikron SEMiX302GAR12E4s
O SEMiX302GAR12E4s é um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de alta potência da Semikron, projetado para aplicações que exigem alta capacidade de corrente e robustez. Sua topologia Single Switch e tecnologia IGBT 4 (Trench) o tornam ideal para diversas aplicações de controle de potência.
Este módulo se destaca pela sua capacidade de suportar tensões de até 1200V e correntes de até 300A, além de apresentar um tempo de desligamento típico de 29,4 ns, minimizando as perdas de chaveamento. A robustez térmica, com uma resistência térmica junção-caixa de 0.17 K/W, assegura operação confiável mesmo em condições de alta temperatura.
Especificações
| Parâmetro | Valor |
|---|---|
| Tecnologia | IGBT 4 (Trench) |
| Tensão de Coletor-Emissor (VCES) | 1200 V |
| Corrente de Coletor (IC) | 300 A |
| Configuração | Single Switch |
| Pacote | SEMiX 2s (117x64x17 mm) |
| Resistência Térmica Junção-Caixa (RthJC) | 0.17 K/W |
| Tempo de Desligamento Típico (tf) | 29,4 ns |
Compatibilidade e aplicações
O módulo SEMiX302GAR12E4s é amplamente utilizado em:
- Inversores de frequência
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Sistemas de tração
Referência do fabricante
Não disponível.
Datasheet (PDF)
Não disponível.
