Semikron SEMiX302GAL12E4s – Módulo IGBT de Alta Potência
O módulo IGBT SEMiX302GAL12E4s da Semikron é projetado para aplicações que exigem alta eficiência e confiabilidade. Sua arquitetura Single Switch e encapsulamento SEMiX 2s o tornam ideal para topologias de comutação como pontes em H, half-bridge e full-bridge, utilizadas em inversores de frequência e conversores.
Com capacidade de operar em temperaturas de junção de -40°C a +150°C, o SEMiX302GAL12E4s demonstra robustez térmica em ambientes desafiadores. Sua capacidade de corrente de 300A e tensão coletor-emissor de 1200V o tornam adequado para sistemas de média potência, garantindo desempenho consistente e longa vida útil.
Especificações
| Parâmetro | Valor |
|---|---|
| Tecnologia | IGBT 4 (Trench) |
| Tensão coletor-emissor (VCES) | 1200 V |
| Corrente de coletor (IC) | 300 A |
| Configuração | Single Switch |
| Encapsulamento | SEMiX 2s (117x64x17 mm) |
| Temperatura de junção (Tj) | -40°C a +150°C |
| Características | Baixas perdas de comutação, alta capacidade de corrente, excelente robustez |
Compatibilidade e Aplicações
O módulo SEMiX302GAL12E4s é amplamente utilizado em:
- Inversores de frequência para acionamentos de motores.
- Sistemas de alimentação ininterrupta (UPS).
- Conversores de energia para tração elétrica e fontes industriais.
Referência do fabricante
Disponível sob consulta.
