Módulo IGBT Semikron SEMiX252GB126HDs
O módulo IGBT SEMiX252GB126HDs da Semikron é projetado para otimizar o desempenho em aplicações industriais que exigem alta potência e confiabilidade. Sua configuração Half Bridge e a tecnologia Trench de terceira geração o tornam ideal para topologias de inversão e conversão de energia.
Com capacidade para operar em tensões de bloqueio de 1200V e correntes nominais de 150A, este módulo oferece uma robustez térmica que garante sua operação em temperaturas de junção de até 150°C. Sua construção permite o uso em ambientes desafiadores, assegurando uma longa vida útil e desempenho consistente.
O encapsulamento SEMiX 2s (117x64x17 mm) facilita a integração em diversos sistemas, proporcionando um excelente equilíbrio entre desempenho e tamanho.
Especificações
| Parâmetro | Valor |
|---|---|
| Número da peça | SEMiX252GB126HDs |
| Tecnologia | IGBT Trench de terceira geração |
| Configuração | Ponte de meia onda (Half Bridge) |
| Tensão de bloqueio coletor-emissor (VCES) | 1200V |
| Corrente de coletor nominal (ICnom) | 150A |
| Corrente de coletor máxima (IC) | 242A (Tc = 25°C), 170A (Tc = 80°C) |
| Temperatura de junção máxima (Tj) | 150°C |
| Encapsulamento | SEMiX 2s (117x64x17 mm) |
Compatibilidade e aplicações
O SEMiX252GB126HDs é amplamente utilizado em:
- Inversores de frequência para controle de motores.
- Sistemas de alimentação ininterrupta (UPS).
- Aplicações de soldagem industrial.
Referência do fabricante
Não disponível
Datasheet (PDF)
Não disponível
