Módulo IGBT SEMiX205MLI12E4V2
O módulo IGBT SEMiX205MLI12E4V2 da Semikron é projetado para aplicações exigentes em eletrônica de potência, destacando-se em topologias 3-Level NPC (Neutral Point Clamped). Sua configuração otimizada e robustez térmica o tornam ideal para operar sob condições adversas. A tecnologia IGBT 4 Trench Gate garante menores perdas e maior eficiência, enquanto o encapsulamento SEMiX 5 com pinos PressFIT facilita a montagem e a integração em seus projetos.
Este módulo IGBT oferece excelente desempenho em diversas aplicações, com foco em confiabilidade e durabilidade. O SEMiX205MLI12E4V2 proporciona uma solução compacta e eficiente para sistemas que demandam alta potência, assegurando um funcionamento estável e prolongado.
Especificações
| Característica | Valor |
|---|---|
| Tecnologia IGBT | 4 Trench Gate |
| Tensão VCES | 1200V |
| Corrente IC | 200A |
| Configuração | 3-Level NPC |
| Encapsulamento | SEMiX 5 |
| Indutância | Baixa |
| Coeficiente de Temperatura VCE(sat) | Positivo |
Compatibilidade e aplicações
O SEMiX205MLI12E4V2 é amplamente utilizado em:
- Inversores trifásicos
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Conversores de frequência
Referência do fabricante
Não disponível.
Datasheet (PDF)
Não disponível.
