Módulo IGBT SEMiX151GB12Vs
O módulo IGBT SEMiX151GB12Vs da Semikron é otimizado para topologias de meia ponte, proporcionando alta eficiência e confiabilidade em sistemas de potência. Sua capacidade de operar em temperaturas de junção de até 175°C e o encapsulamento SEMiX 1s (84x64x17) garantem robustez térmica e facilidade de integração em diversos projetos.
Este módulo é projetado para aplicações que exigem alta capacidade de corrente, com corrente nominal de 150A e capacidade de pico de 450A, tornando-o ideal para sistemas de alta potência.
Especificações
| Parâmetro | Valor |
|---|---|
| Número da peça | 27890101 |
| Tecnologia | V-IGBT |
| Configuração | Meia ponte |
| Tensão de bloqueio (VCES) | 1200V |
| Corrente nominal (ICnom) | 150A |
| Corrente de pico (ICRM) | 450A |
| Temperatura de junção (Tj) | -40°C a 175°C |
| Isolamento | 4000V |
| Encapsulamento | SEMiX 1s (84x64x17) |
| Peso | 0.15 kg |
Compatibilidade e aplicações
O SEMiX151GB12Vs é largamente utilizado em inversores de frequência para controle de motores, sistemas UPS (Uninterruptible Power Supply) para garantir energia em caso de falha e em aplicações de tração, onde confiabilidade e eficiência são cruciais.
Referência do fabricante
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Datasheet (PDF)
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