Módulo IGBT PIM 650V 50A Infineon – FB50R07W2E3_B23

O FB50R07W2E3_B23, fabricado pela Infineon Technologies, é um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) PIM (Power Integrated Module) projetado para aplicações de alta potência. Este componente robusto opera em 650V e suporta correntes de até 50A, tornando-o adequado para uma variedade de aplicações industriais e de controle de potência. O módulo IGBT FB50R07W2E3_B23 é ideal para uso em inversores de frequência para acionamento de motores, fontes de alimentação ininterruptas (UPS), e sistemas de energia renovável. Sua arquitetura integrada simplifica o design de circuitos, oferecendo alta confiabilidade e desempenho. A Infineon projeta o FB50R07W2E3_B23 para proporcionar eficiência energética, baixa perda de comutação e proteção contra sobrecorrente, garantindo a durabilidade do sistema e a operação segura em ambientes exigentes. A sua construção compacta e a integração de componentes reduzem o número de peças necessárias, simplificando o processo de montagem e otimizando o custo total do sistema.