Módulo IGBT Half-Bridge 1200V CoolSiC™ – FF1MR12KM1H_S

O FF1MR12KM1H_S da Infineon é um módulo half-bridge CoolSiC™ MOSFET projetado para operação em 1200V. Este módulo, encapsulado em um formato de 62mm, incorpora a tecnologia M1H, garantindo alta performance e eficiência em diversas aplicações. Sua configuração de fonte comum otimiza o desempenho e facilita o design de circuitos. O FF1MR12KM1H_S oferece uma resistência RDS(on) de apenas 1 mOhm, minimizando as perdas de condução e aumentando a eficiência energética. Este componente é ideal para aplicações industriais exigentes, como inversores solares, acionamentos de motores e fontes de alimentação de alta potência, onde a eficiência e a confiabilidade são cruciais. A combinação de tecnologia avançada e o encapsulamento robusto torna o FF1MR12KM1H_S uma excelente escolha para sistemas que necessitam de alta performance e durabilidade. O módulo está disponível também com configuração de fonte comum, aumentando a flexibilidade do projeto.