Módulo IGBT 3 Níveis 650V 40A – FS3L40R07W2H5F_B70

O FS3L40R07W2H5F_B70 é um módulo IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) de 3 níveis, fabricado pela Infineon Technologies. Projetado para aplicações de alta potência e alta tensão, este componente opera com uma tensão de 650 V e suporta correntes de até 40 A. A tecnologia de 3 níveis proporciona maior eficiência e menor perda de comutação em comparação com módulos IGBT tradicionais, tornando-o ideal para inversores solares, acionamentos de motores e sistemas de controle de energia. O módulo FS3L40R07W2H5F_B70 é construído para oferecer confiabilidade e durabilidade em ambientes industriais exigentes. A sua arquitetura avançada permite uma operação otimizada e um desempenho superior em diversas aplicações, incluindo conversores de frequência e sistemas de alimentação ininterrupta (UPS). O encapsulamento do FS3L40R07W2H5F_B70 é projetado para facilitar a dissipação de calor, garantindo a longevidade do componente.