Módulo IGBT 3 Níveis 650V 200A Infineon – DF200R07W2H3_B77

O DF200R07W2H3_B77 da Infineon Technologies é um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de 3 níveis, projetado para aplicações exigentes em eletrônica de potência. Este componente robusto opera com uma tensão de 650V e suporta uma corrente de 200A, o que o torna ideal para diversas aplicações industriais. O módulo incorpora tecnologia Trench/Fieldstop IGBT H3 e diodo rápido, otimizando o desempenho e a eficiência. A tecnologia PressFIT e a inclusão de um termistor NTC facilitam a montagem e o monitoramento da temperatura. O DF200R07W2H3_B77 é frequentemente utilizado em inversores trifásicos, conversores DC-DC e sistemas de acionamento de motores, onde a alta potência e a confiabilidade são essenciais. A Infineon projeta este módulo para oferecer alta durabilidade e desempenho consistente em condições de operação rigorosas, garantindo a integridade dos sistemas e a eficiência energética.