Módulo de Potência IGBT 1200V HybridPACK Drive G2 – FS520R12A8P1LB
O FS520R12A8P1LB é um módulo de potência HybridPACK™ Drive G2 da Infineon Technologies, projetado para aplicações automotivas, abrangendo veículos híbridos e elétricos de média e alta potência. Este módulo, composto por seis IGBTs (Integrated Gate Bipolar Transistors – Transistores Bipolares de Porta Isolada), opera com uma tensão de 1200V e corrente de 520A, oferecendo alta densidade de potência e eficiência. A tecnologia de chip IGBT de última geração da Infineon otimiza o desempenho em aplicações de acionamento elétrico. O encapsulamento do FS520R12A8P1LB é otimizado para melhorar a dissipação de calor e a confiabilidade em ambientes de operação exigentes. O módulo é ideal para inversores de tração em veículos elétricos e híbridos, proporcionando uma solução compacta e eficiente para o controle de motores elétricos.
Especificações Técnicas
| Tipo de Componente | Módulo de Potência IGBT |
|---|---|
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Tensão | 1200V |
| Corrente | 520A |
| Aplicação | Veículos Híbridos e Elétricos |
Perguntas Frequentes
Qual a principal aplicação do FS520R12A8P1LB?
O FS520R12A8P1LB é projetado principalmente para inversores de tração em veículos híbridos e elétricos (HEV/EV).
Qual a tecnologia utilizada no FS520R12A8P1LB?
O módulo utiliza a tecnologia de chip IGBT de última geração da Infineon, otimizada para aplicações automotivas.
Quais são os benefícios do encapsulamento do FS520R12A8P1LB?
O encapsulamento do FS520R12A8P1LB é otimizado para melhorar a dissipação de calor e a confiabilidade em ambientes de operação exigentes.
🔗 Referência do Fabricante:
Página oficial FS520R12A8P1LB – Infineon Technologies
📄 Datasheet Oficial: Download Datasheet FS520R12A8P1LB
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