Descrição
Transistor de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de conversão de energia.
Especificações
| Tecnologia | TrenchField IGBT |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1400 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 93 A |
| Corrente Pulsada de Coletor (Icm) | 300 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 93A, 25°C: 1.7 V |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge) nominal: ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) máxima | 1.5 A |
| Temperatura de Operação (Tj) | -40°C a +150°C |
| Package | TO-247-3 |
| Dissipação de Potência (Ptot) a 25°C | 303 W |
| Resistência Térmica Coletor | Case (RthJC): 0.41 K/W |
| Frequência de Chaveamento | Alta |
| Aplicações | Fontes de alimentação, inversores solares, controle de motores |
FAQ
Qual a tensão máxima que o transistor TT93N14KOF suporta?
O transistor Infineon TT93N14KOF possui uma tensão Coletor-Emissor (Vces) de 1400 V.
Em qual faixa de temperatura o TT93N14KOF pode operar?
O TT93N14KOF pode operar em uma faixa de temperatura de -40°C a +150°C (Tj).
Quais são as aplicações típicas do transistor TT93N14KOF?
O TT93N14KOF é projetado para aplicações como fontes de alimentação, inversores solares e controle de motores.