Descrição
Transistor de potência IGBT de alta tensão da Infineon, projetado para aplicações de comutação rápida e alta eficiência.
Especificações
| Tecnologia | Trench IGBT 4 |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente de Coletor Contínua (Ic) a 25°C | 800 A |
| Corrente de Coletor Pulsada (Icm) | 3200 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 800A, 25°C: 2.2 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 200 mA |
| Package | H-34118-2 |
| Dissipação de Potência (Ptot) a 25°C | 10000 W |
| Temperatura de Operação | -40°C a 150°C |
| Aplicações | Inversores solares, fontes de alimentação de alta potência, acionamentos de motores industriais. |
FAQ
Qual a tensão máxima que o transistor TT8N1200KOC pode suportar?
O transistor Infineon TT8N1200KOC possui uma tensão Coletor-Emissor (Vces) de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do TT8N1200KOC?
A temperatura de operação do TT8N1200KOC varia de -40°C a 150°C.
Quais são algumas aplicações típicas do TT8N1200KOC?
O TT8N1200KOC é utilizado em aplicações como inversores solares, fontes de alimentação de alta potência e acionamentos de motores industriais.