Descrição
Transistor de efeito de campo de metal óxido semicondutor de potência (MOSFET) de canal N, projetado para aplicações de gerenciamento de energia automotiva.
Especificações
| Tipo de transistor | MOSFET de canal N |
|---|---|
| Tensão de dreno | fonte (Vds): 80 V |
| Corrente de dreno contínua (Id) | 61 A |
| Resistência de dreno | fonte (RDS(on)): 4.8 mOhm a 10V |
| Tensão de limiar de porta | fonte (Vgs(th)): 2.5 V (típico) |
| Tecnologia | OptiMOS™ 5 |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a 175 °C |
| Aplicações | Gerenciamento de energia automotiva, sistemas de 48V |
| Corrente de pulso de dreno (Id,pulse) | 200 A |
| Carga de porta (Qg) | 45 nC (típico) |
| Tensão de porta | fonte (Vgs): ±20 V |
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor Infineon TT61N08KOFB2?
O transistor Infineon TT61N08KOFB2 possui encapsulamento PG-TDSON-8.
Qual a faixa de temperatura de operação do MOSFET TT61N08KOFB2?
A faixa de temperatura de operação do Infineon TT61N08KOFB2 é de -40 °C a 175 °C.
Quais as aplicações típicas do MOSFET Infineon TT61N08KOFB2?
As aplicações típicas do Infineon TT61N08KOFB2 incluem gerenciamento de energia automotiva e sistemas de 48V.