Infineon TT60F10KFC

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O Infineon TT60F10KFC é um transistor de efeito de campo (FET) de potência, projetado para aplicações de gerenciamento de energia e comutação.

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Descrição

O Infineon TT60F10KFC é um transistor de efeito de campo (FET) de potência, projetado para aplicações de gerenciamento de energia e comutação.

Especificações

Tipo de Transistor MOSFET de Potência
Tensão Dreno Fonte (Vds): 100V
Corrente de Dreno Contínua (Id) 60A
Resistência Dreno Fonte (RDS(on)): 4.5mOhm (típico)
Tensão de Limiar Gate Source (Vgs(th)): 2V (típico)
Tecnologia OptiMOS™
Encapsulamento PG-TDSON-8
Temperatura de Operação -55°C a +150°C
Aplicações Comutação de alta frequência, fontes de alimentação, gerenciamento de bateria

FAQ

Qual o encapsulamento do transistor Infineon TT60F10KFC?

O Infineon TT60F10KFC possui encapsulamento PG-TDSON-8.

Qual a faixa de temperatura de operação do TT60F10KFC?

A temperatura de operação do TT60F10KFC varia de -55°C a +150°C.

Quais são as aplicações típicas do Infineon TT60F10KFC?

As aplicações típicas do Infineon TT60F10KFC incluem comutação de alta frequência, fontes de alimentação e gerenciamento de bateria.

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